고려대 신소재공학과 이경진 교수(사진)를 주축으로 한 삼성전자 오세충 박사, 한국기초과학지원연구원 박승영 박사, 포스텍 물리학과 이현우 교수의 산학연 공동연구팀이 차세대 메모리인 STT-MRAM(스핀토크 자기메모리)에서 발생하는 오동작의 원리를 규명하고, 양자효과 조절을 통해 오동작을 방지할 수 있다는 사실을 밝히는데 성공하였다.

이번 연구성과는 교육과학기술부(장관 안병만)와 한국연구재단(이사장 박찬모)이 추진하는 중견연구자지원사업, 삼성전자의 산학과제, 한국기초과학지원연구원과 한국과학기술정보연구원의 지원을 받았으며, 물리학 분야의 저명 국제 과학저널인 '네이처 피직스(Nature Physics)'지 10월 25일자로 게재되었다.

출처: 2009.10.26 한국연구재단 보도자료