Molecular-Beam Epitaxy 방법으로 합성된 MnAs 박막의 물리적 특성을 기판의 종류와 증착 온도에 따라 조사하였으며 더불어 이들 시료의 증착 후 열처리 효과를 조사하였다. 증착 온도가 600 oC일 경우에는 기판의 종류에 관계없이 type-B의 결정 방향성 을 보였으나 200 oC 이하에서 합성한 시료에 대하여는 type-A로 합성되었다. 600 oC에서 GaAs(001) 기판에 성장시킨 시료에서는 자기화 용이축 내에서도 특히 한쪽 방향으로 자화가 되어 있음을 확인하였다. 강자성을 보이지 않던 120 oC에서 증착한 MnAs/ Si(001)와 실온에서 강자성과 상자성이 공존하였던 200 oC에서 증착한 MnAs/GaAs(001) 시료의 경우 600 oC에서 열처리 하였을 때 자기적 특성이 크게 향상되었다.

We have studied physical properties of MnAs thin films grown by Molecular-Beam Epitaxy as well as their postgrowth annealing effects. The samples grown at 600 oC show the preferred crystal orientation of type-B independent of substrate whereas type-A is observed for the samples grown at below 200 oC. The sample grown at 600 oC on GaAs(001) substrate is magnetized to only one direction even on the easy axis of magnetization. The magnetic properties are vastly enhanced after post-growth annealing for both MnAs/Si(001) sample with no ferromagnetism and ferromagnetic MnAs/ GaAs(001) grown at 200 oC.